hspiceの基本素子の記述

hspiceのネットリスト記述のための基本的な素子の文法について

基本素子の文法
電圧源の種類
制御型電圧源及び電流源
1. VCVSのサンプル
スイッチの実現法

基本素子の文法

以下に基本素子の記述のサンプルを示す．

hspiceでは大文字小文字は区別されないので，どちらでも良い．

hspiceの基本素子の記述法では，最初の1文字が素子を表すため残りの文字列は何でもよい．
ex. r1 r2 rd ron は全て抵抗として認識される．

ノード名は何でもよい．

r1 n1 n2 10k  *10kΩの抵抗
l1 n1 n2 1u   *1uHのインダクタ
c1 n1 n2 1u   *1uFのキャパシタ
v1 n1 n2 3.3  *3.3Vの理想電圧源
i1 n1 n2 1m   *1mAの理想電圧源

*ダイオード，モデル必要
d1 P N modelName

*ゲート長0.8u, ゲート幅6uのMOSFET，モデル必要
m1 G D S B modelName l=0.8u w=6u

*バイポーラトランジスタ，モデル必要
q1 C B E Sub modelName

電圧源の種類

パルス波，サイン波，PWL(PieceWise Linear source)の記法

vin n+ n- PULSE (HIGH LOW Tdelay Trise Tfall pulseWidth period)
vin n+ n- SIN (offset amplitude freq Tdelay damp phase)
vin n+ n- PWL 0.9n 0, 1n 1.0, 1.9n 1.0, 2n 0

PWLでポイント数が多いときデータから読み込むことができる．

vin n+ n- PWL (TIME, vol) 

.data dataName
TIME vol
t1 v1
t2 v2
t3 v3
  :
.enddata

制御型電圧源及び電流源

種類	記法
VCVS(Voltage Controlled Voltage Souce)	e1 out+ out- in+ in- gain
CCCS(Voltage Controlled Voltage Souce)	f1 out+ out- in+ in- gain
VCCS(Voltage Controlled Voltage Souce)	g1 out+ out- in+ in- gain
CCVS(Voltage Controlled Voltage Souce)	h1 out+ out- in+ in- gain

VCVSのサンプル

VCVS以外の制御型電圧源及び電流源も同様の記述が可能

* gain倍の理想アンプ
eamp out+ out- in+ in- max=1.0 min=0 gain

*複数のノード電圧の和
*V(out+,out-) = V(in1+,in1-) + V(in2+,in2-) + offset
esum out+ out- poly(2) in1+ in1- in2+ in2- offset 1 1

*多項式関数
*V(out+,out-) = a + b*V(in+,in-) + c*V(in+,in-)^2
e1 out+ out- poly in+ in- a b c 

*single ended input VCVS
e2 out+ out- vol='offset+SIN(6.28*v(in))'

スイッチの実現法

時間による条件分岐

rswitch n1 n2 '100g*(TIME <= t1)'

voltage-controlled resister を用いる方法
V(in+, in-)に電圧を与えることでスイッチングが可能．
指定している電圧間は抵抗値が線形に変化

gswitch n1 n2 VCR PWL(1) in+ in- 0.499v,10G 0.501v,1p